产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing

标准包装：2,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带盒（TB）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：200mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：50pF @ 25V

功率 - 最大值：400mW

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商器件封装：TO-92-3

其它名称：2N7000_D75Z-ND2N7000_D75ZFSTB2N7000_D75ZTB2N7000_D75ZTB-ND2N7000D75Z