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TK7A50D(STA4,Q,M) /MOSFET N-Ch MOS 7A 500V 35W 600pF 1.22
TK7A50D(STA4,Q,M)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:7 A

Rds On-漏源导通电阻:1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:4.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:12 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:35 W

配置:Single

高度:15 mm

长度:10 mm

系列:TK7A50D

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

正向跨导 - 最小值:2.5 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:55 ns

典型接通延迟时间:40 ns

单位重量:6 g

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