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ZX3CDBS1M832TA / Transistors Bipolar - BJT NPN 20V/1A Sch Comb
ZX3CDBS1M832TA的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Rohs:Lead free / RoHS Compliant

产品更改通知:MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010

标准包装:3,000

晶体管类型:NPN + Diode (Isolated)

- 集电极电流(Ic)(最大):4.5A

电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V

Vce饱和(最大)@ IB,IC:270mV @ 125mA, 4.5A

电流 - 集电极截止(最大):25nA

直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE:200 @ 2A, 2V

功率 - 最大:3W

频率转换:140MHz

安装类型 :Surface Mount

包/盒 :8-MLP

供应商器件封装:8-MLP/DFN (3x2)

包装材料 :Tape & Reel (TR)

集电极最大直流电流:5

安装:Surface Mount

Maximum Transition Frequency :140(Typ)

包装宽度:2

PCB:8

最大功率耗散:3000

类型:NPN

欧盟RoHS指令:Compliant

每个芯片的元件数:1

最大集电极基极电压:40

最大集电极发射极电压:20

供应商封装形式:MLP

标准包装名称:DFN

最高工作温度:150

包装长度:3

引脚数:8

最小直流电流增益:200@10mA@2V|300@200mA@2V|200@2A@2...

包装高度:1(Max)

最大基地发射极电压:7.5

封装:Tape and Reel

铅形状:No Lead

P( TOT ):1.5W

匹配代码:ZX3CDBS1M832

I(C ):4.5A

V( CEO ):20V

包装:MLP

单位包:3000

标准的提前期:11 weeks

最小起订量:3000

极化:NPN

无铅Defin:RoHS-conform

电流增益:400

V( CBO ):40V

电流 - 集电极( Ic)(最大):4.5A

晶体管类型:NPN + Diode (Isolated)

安装类型:Surface Mount

频率 - 转换:140MHz

下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件:270mV @ 125mA, 4.5A

电流 - 集电极截止(最大):25nA

标准包装:3,000

电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V

供应商设备封装:8-MLP/DFN (3x2)

功率 - 最大:3W

封装/外壳:8-MLP

直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时:200 @ 2A, 2V

供应商ZX3CDBS1M832TA
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深圳市辉华拓展电子有限公司ZX3CDBS1M832TA深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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ZX3CDBS1M832TAMPPS™ Miniature Package Power Solutions 20V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR AND 40V, 1A SCHOTTKY DIODE COMBINATION DUAL ZETEX[Zetex Semiconductors]ZETEX[Zetex Semiconductors]的LOGO358.78 Kbytes共9页ZX3CDBS1M832TA的PDF下载地址ZX3CD2S1M832,ZX3CD3S1M832,ZXTDC3M832,ZXTDBM832,ZXTBM322,ZXTCM322,ZXTDAM832,ZX3CD1S1M832,ZXTD3M832,ZXTD2M832
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ZX3CDBS1M832TADiodes Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品价格未公开
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