Rohs：Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知：MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010
标准包装：3,000
晶体管类型：PNP + Diode (Isolated)
- 集电极电流（Ic）（最大）：3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：370mV @ 250mA, 2.5A
电流 - 集电极截止（最大）：25nA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：60 @ 1.5A, 2V
功率 - 最大：3W
频率转换：190MHz
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：8-MLP
供应商器件封装：8-MLP/DFN (3x2)
包装材料
：Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：3A
晶体管类型：PNP + Diode (Isolated)
安装类型：Surface Mount
频率 - 转换：190MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：370mV @ 250mA, 2.5A
电流 - 集电极截止（最大）：25nA
标准包装：3,000
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
供应商设备封装：8-MLP/DFN (3x2)
封装：Tape & Reel (TR)
功率 - 最大：3W
封装/外壳：8-MLP
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：60 @ 1.5A, 2V
其他名称：ZX3CD3S1M832CT
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：3000
增益带宽产品fT：190 MHz
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性：PNP
发射极 - 基极电压VEBO：- 7.5 V
最大功率耗散：3000 mW
直流集电极/增益hfe最小值：300 at 10 mA at 2 V, 300 at 100 mA at 2 V, 180 at 1 A at 2 V, 60 at 1.5 A at 2 V, 12 at 3 A at 2 V
直流电流增益hFE最大值：300
集电极 - 发射极最大电压VCEO：40 V
安装风格：SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO：50 V
集电极最大直流电流：3 A
配置：Single
最高工作温度：+ 150 C
RoHS：In Transition