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ZX3CD2S1M832TA / Transistors Bipolar - BJT PNP 20V/1A Sch Comb
ZX3CD2S1M832TA的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Rohs:Lead free / RoHS Compliant

产品更改通知:MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010

标准包装:3,000

晶体管类型:PNP + Diode (Isolated)

- 集电极电流(Ic)(最大):3.5A

电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V

Vce饱和(最大)@ IB,IC:300mV @ 300mA, 3.5A

电流 - 集电极截止(最大):25nA

直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE:150 @ 2A, 2V

功率 - 最大:3W

频率转换:180MHz

安装类型 :Surface Mount

包/盒 :8-MLP

供应商器件封装:8-MLP/DFN (3x2)

包装材料 :Tape & Reel (TR)

电流 - 集电极( Ic)(最大):3.5A

晶体管类型:PNP + Diode (Isolated)

安装类型:Surface Mount

频率 - 转换:180MHz

下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件:300mV @ 300mA, 3.5A

电流 - 集电极截止(最大):25nA

标准包装:3,000

电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V

供应商设备封装:8-MLP/DFN (3x2)

封装:Tape & Reel (TR)

功率 - 最大:3W

封装/外壳:8-MLP

直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时:150 @ 2A, 2V

其他名称:ZX3CD2S1M832CT

RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量:3000

增益带宽产品fT:180 MHz

产品种类:Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性:PNP

发射极 - 基极电压VEBO:- 7.5 V

最大功率耗散:3000 mW

直流集电极/增益hfe最小值:300 at 10 mA at 2 V, 300 at 100 mA at 2 V, 150 at 2 A at 2 V, 15 at 6 A at 2 V

直流电流增益hFE最大值:300

集电极 - 发射极最大电压VCEO:20 V

安装风格:SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO:25 V

集电极最大直流电流:3.5 A

配置:Single

最高工作温度:+ 150 C

RoHS:In Transition

供应商ZX3CD2S1M832TA
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ZX3CD2S1M832TAMPPS Miniature Package Power Solutions 20V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR AND 40V, 1A SCHOTTKY DIODE COMBINATION DUAL ZETEX[Zetex Semiconductors]ZETEX[Zetex Semiconductors]的LOGO344.62 Kbytes共9页ZX3CD2S1M832TA的PDF下载地址ZX3CD3S1M832,ZX3CDBS1M832,ZXTDC3M832,ZXTD2M832,ZX3CD1S1M832,ZXTD3M832,ZXT3M322,ZXT2M322,ZXTD1M832,ZXTDAM832
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ZX3CD2S1M832TADiodes Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品3000+:¥3.32
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ZX3CD2S1M832TADiodes IncorporatedZX3CD2S Series PNP 20 V 3.5 A 1.5 W PNP Transistor/Diode Combo - MLP-8
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