Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：2,000
晶体管类型：NPN
- 集电极电流（Ic）（最大）：4A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：200mV @ 400mA, 4A
电流 - 集电极截止（最大）：-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：100 @ 2A, 2V
功率 - 最大：1.2W
频率转换：130MHz
安装类型
：Through Hole
包/盒
：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装：TO-92-3
包装材料
：Tape & Box (TB)
包装：3E-Line
类型：NPN
引脚数：3
最大集电极发射极电压：100 V
集电极最大直流电流：4 A
最小直流电流增益：100@10mA@2V|100@2A@2V|50@4A@2V|20@10A@2V
最大工作频率：130(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压：0.05@5mA@0.1A|0.15@100mA@2A|0.2@400mA@4A V
最大集电极基极电压：200 V
工作温度：-55 to 200 °C
最大功率耗散：1200 mW
安装：Through Hole
标准包装：Ammo Pack
集电极最大直流电流：4
最低工作温度：-55
Maximum Transition Frequency ：130(Typ)
包装宽度：2.41(Max)
PCB：3
最大功率耗散：1200
欧盟RoHS指令：Compliant
每个芯片的元件数：1
最大集电极基极电压：200
最大集电极发射极电压：100
供应商封装形式：E-Line
标准包装名称：TO-92
最高工作温度：200
包装长度：4.77(Max)
包装高度：4.01(Max)
最大基地发射极电压：6
封装：Box
铅形状：Through Hole
单位包：2000
最小起订量：2000
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：4A
晶体管类型：NPN
安装类型：Through Hole
频率 - 转换：130MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：200mV @ 400mA, 4A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
供应商设备封装：E-Line (TO-92 compatible)
功率 - 最大：1.2W
封装/外壳：E-Line-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：100 @ 2A, 2V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：2000
集电极 - 发射极饱和电压：160 mV
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性：NPN
发射极 - 基极电压VEBO：6 V
直流集电极/增益hfe最小值：100 at 10 mA at 2 V, 100 at 2 A at 2 V, 50 at 4 A at 2 V, 20 at 10 A at 2 V
直流电流增益hFE最大值：100 at 10 mA at 2 V
增益带宽产品fT：130 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO：100 V
安装风格：Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO：200 V
最低工作温度：- 55 C
配置：Single
最高工作温度：+ 150 C
RoHS：RoHS Compliant
连续集电极电流：4 A
集电极电流（DC ）：4 A
集电极 - 基极电压：200 V
集电极 - 发射极电压：100 V
发射极 - 基极电压：6 V
频率：130 MHz
功率耗散：1.2 W
工作温度范围：-55C to 200C
包装类型：E-Line
元件数：1
直流电流增益：100