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ZTX788BSTZ / Trans GP BJT PNP 15V 3A 3-Pin E-Line Box
ZTX788BSTZ的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Rohs:Lead free / RoHS Compliant

标准包装:2,000

晶体管类型:PNP

- 集电极电流(Ic)(最大):3A

电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V

Vce饱和(最大)@ IB,IC:450mV @ 10mA, 2A

电流 - 集电极截止(最大):-

直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE:500 @ 10mA, 2V

功率 - 最大:1W

频率转换:100MHz

安装类型 :Through Hole

包/盒 :TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装:TO-92-3

包装材料 :Tape & Box (TB)

包装:3E-Line

类型:PNP

引脚数:3

最大集电极发射极电压:15 V

集电极最大直流电流:3 A

最小直流电流增益:500@10mA@2V|400@1A@2V|300@2A@2V|150@6A@2V

最大工作频率:100(Min) MHz

最大集电极发射极饱和电压:0.15@2.5mA@0.5A|0.25@5mA@1A|0.45@10mA@2A V

工作温度:-55 to 200 °C

最大功率耗散:1000 mW

安装:Through Hole

标准包装:Ammo Pack

单位包:2000

最小起订量:2000

电流 - 集电极( Ic)(最大):3A

晶体管类型:PNP

安装类型:Through Hole

频率 - 转换:100MHz

下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件:450mV @ 10mA, 2A

电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V

供应商设备封装:E-Line (TO-92 compatible)

封装:Tape & Box (TB)

功率 - 最大:1W

封装/外壳:E-Line-3, Formed Leads

直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时:500 @ 10mA, 2V

RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量:2000

增益带宽产品fT:100 MHz

产品种类:Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性:PNP

发射极 - 基极电压VEBO:5 V

直流集电极/增益hfe最小值:500 at 10 mA at 2 V, 400 at 1 A at 2 V, 300 at 2 A at 2 V, 150 at 6 A at 2 V

直流电流增益hFE最大值:500 at 10 mA at 2 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO:15 V

安装风格:Through Hole

集电极 - 基极电压VCBO:15 V

最低工作温度:- 55 C

配置:Single

供应商ZTX788BSTZ
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深圳市河锋鑫科技有限公司ZTX788BSTZ华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市天卓伟业电子有限公司ZTX788BSTZ深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市辉华拓展电子有限公司ZTX788BSTZ深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市芯幂科技有限公司ZTX788BSTZ深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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销售商型号制造商功能描述价格
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ZTX788BSTZDiodes Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品2000+:¥3.27
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ZTX788BSTZDiodes Incorporated双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 15V HIGH GAIN2,000:¥3.7064
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