Rohs：Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知：End Of Life 30/July/2009
标准包装：2,000
晶体管类型：PNP
- 集电极电流（Ic）（最大）：3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：25V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：500mV @ 100mA, 3A
电流 - 集电极截止（最大）：-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：300 @ 10mA, 2V
功率 - 最大：1W
频率转换：100MHz
安装类型
：Through Hole
包/盒
：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装：TO-92-3
包装材料
：Tape & Reel (TR)
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
RoHS：RoHS Compliant
配置：Single
晶体管极性：PNP
集电极 - 基极电压VCBO：- 25 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO：- 25 V
发射极 - 基极电压VEBO：- 5 V
集电极 - 发射极饱和电压：- 25 V
集电极最大直流电流：3 A
增益带宽产品fT：100 MHz
直流集电极/增益hfe最小值：300 at 10 mA at 2 V, 250 at 1 A at 2 V, 200 at 2 A at 2 V, 100 at 6 A at 2 V
最高工作温度：+ 150 C
安装风格：Through Hole
封装/外壳：TO-92
连续集电极电流：- 3 A
直流电流增益hFE最大值：300 at 10 mA at 2 V
最大功率耗散：1000 mW
最低工作温度：- 55 C
封装：Bulk
工厂包装数量：2000
寿命：Obsolete
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：3A
晶体管类型：PNP
安装类型：Through Hole
频率 - 转换：100MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：500mV @ 100mA, 3A
标准包装：2,000
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：25V
供应商设备封装：E-Line (TO-92 compatible)
功率 - 最大：1W
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：300 @ 10mA, 2V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant