Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：4,000
晶体管类型：NPN
- 集电极电流（Ic）（最大）：3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：20V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：500mV @ 10mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大）：-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：400 @ 2A, 2V
功率 - 最大：1W
频率转换：150MHz
安装类型
：Through Hole
包/盒
：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装：TO-92-3
包装材料
：Bulk
包装：3E-Line
类型：NPN
引脚数：3
最大集电极发射极电压：20 V
集电极最大直流电流：3 A
最小直流电流增益：500@100mA@2V|400@2A@2V|150@6A@2V
最大工作频率：150(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压：0.1@0.5mA@0.1A|0.5@10mA@2A V
工作温度：-55 to 200 °C
最大功率耗散：1000 mW
安装：Through Hole
标准包装：Bulk
集电极最大直流电流：3
最低工作温度：-55
Maximum Transition Frequency ：150(Min)
包装宽度：2.41(Max)
PCB：3
最大功率耗散：1000
欧盟RoHS指令：Compliant
每个芯片的元件数：1
最大集电极基极电压：20
最大集电极发射极电压：20
供应商封装形式：E-Line
标准包装名称：TO-92
最高工作温度：200
包装长度：4.77(Max)
包装高度：4.01(Max)
最大基地发射极电压：5
铅形状：Through Hole
单位包：4000
最小起订量：4000
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：3A
晶体管类型：NPN
安装类型：Through Hole
频率 - 转换：150MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：500mV @ 10mA, 2A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：20V
供应商设备封装：E-Line (TO-92 compatible)
封装：Bulk
功率 - 最大：1W
封装/外壳：E-Line-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：400 @ 2A, 2V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：4000
集电极 - 发射极饱和电压：0.5 V
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性：NPN
发射极 - 基极电压VEBO：5 V
直流集电极/增益hfe最小值：500 at 100 mA at 2 V, 400 at 2 A at 2 V, 150 at 6 A at 2 V
直流电流增益hFE最大值：500 at 100 mA at 2 V
增益带宽产品fT：150 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO：20 V
安装风格：Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO：20 V
最低工作温度：- 55 C
配置：Single
最高工作温度：+ 150 C