Rohs：Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装：4,000
晶体管类型：NPN
- 集电极电流（Ic）（最大）：1A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：150V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：500mV @ 200mA, 1A
电流 - 集电极截止（最大）：-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：50 @ 500mA, 5V
功率 - 最大：1W
频率转换：30MHz
安装类型
：Through Hole
包/盒
：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装：TO-92-3
包装材料
：Bulk
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：1A
晶体管类型：NPN
安装类型：Through Hole
频率 - 转换：30MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：500mV @ 200mA, 1A
标准包装：4,000
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：150V
供应商设备封装：E-Line (TO-92 compatible)
封装：Bulk
功率 - 最大：1W
封装/外壳：E-Line-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：50 @ 500mA, 5V
工厂包装数量：4000
集电极 - 发射极饱和电压：0.5 V
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性：NPN
发射极 - 基极电压VEBO：5 V
最大功率耗散：1 W
直流集电极/增益hfe最小值：50 at 10 mA at 5 V, 50 at 500 mA at 5 V, 20 at 1 A at 5 V
直流电流增益hFE最大值：50 at 10 mA at 5 V
增益带宽产品fT：30 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO：150 V
安装风格：Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO：150 V
最低工作温度：- 55 C
集电极最大直流电流：1 A
配置：Single
最高工作温度：+ 150 C
RoHS：RoHS Compliant
连续集电极电流：1 A