制造商:Diodes Incorporated

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V

集电极—基极电压 VCBO:400 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:0.5 V

最大直流电集电极电流:500 mA

增益带宽产品fT:50 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 200 C

封装:Ammo Pack

商标:Diodes Incorporated

集电极连续电流:500 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:40

Pd-功率耗散:1 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2000

子类别:Transistors