标准包装：1,000
晶体管类型：2 NPN (Dual)
集电极电流（Ic）（最大）：500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：120V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：500mV @ 5mA, 400mA
电流 - 集电极截止（最大）：-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：400 @ 200mA, 2V
功率 - 最大：2.75W
频率转换：130MHz
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：SOT-223-8
供应商器件封装：SM8
包装材料
：Tape & Reel (TR)
动态目录：NPN Transistor Arrays###/catalog/en/partgroup/npn-transistor-arrays/15439?mpart=ZDT694TA&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；
包装：8SM8
类型：NPN
引脚数：8
最大集电极发射极电压：120 V
集电极最大直流电流：0.5 A
最小直流电流增益：500@100mA@2V|400@200mA@2V|150@400mA@2V
最大工作频率：130(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压：0.25@0.5mA@0.1A|0.5@5mA@0.4A V
工作温度：-55 to 150 °C
最大功率耗散：2750 mW
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
集电极最大直流电流：0.5
欧盟RoHS指令：Compliant
最高工作温度：150
最大集电极基极电压：120
最低工作温度：-55
包装高度：1.6(Max)
最大功率耗散：2750
最大基地发射极电压：5
Maximum Transition Frequency ：130(Min)
封装：Tape and Reel
PCB：8
每个芯片的元件数：2
包装宽度：3.7(Max)
供应商封装形式：SM8
包装长度：6.7(Max)
最大集电极发射极电压：120
单位包：1000
最小起订量：1000
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：500mA
晶体管类型：2 NPN (Dual)
安装类型：Surface Mount
频率 - 转换：130MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：500mV @ 5mA, 400mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：120V
供应商设备封装：SM8
功率 - 最大：2.75W
封装/外壳：SOT-223-8
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：400 @ 200mA, 2V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
其他名称：ZDT694CT
工厂包装数量：1000
集电极 - 发射极饱和电压：0.5 V
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性：NPN
发射极 - 基极电压VEBO：5 V
直流集电极/增益hfe最小值：500 at 100 mA at 2 V, 400 at 200 mA at 2 V, 150 at 400 mA at 2 V
直流电流增益hFE最大值：500
增益带宽产品fT：130 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO：120 V
安装风格：SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO：120 V
最低工作温度：- 55 C
配置：Dual