Rohs：Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装：1,000
晶体管类型：2 NPN (Dual)
- 集电极电流（Ic）（最大）：2A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：25V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：500mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大）：-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：100 @ 1A, 2V
功率 - 最大：2.75W
频率转换：240MHz
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：SOT-223-8
供应商器件封装：SM8
包装材料
：Tape & Reel (TR)
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
RoHS：RoHS Compliant
配置：Dual
晶体管极性：NPN
集电极 - 基极电压VCBO：35 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO：25 V
发射极 - 基极电压VEBO：5 V
集电极 - 发射极饱和电压：25 V
集电极最大直流电流：2 A
增益带宽产品fT：240 MHz
直流集电极/增益hfe最小值：70 at 50 mA at 2 V, 100 at 1 A at 2 V, 75 at 2 A at 2 V, 15 at 6 A at 2 V
最高工作温度：+ 150 C
安装风格：SMD/SMT
封装/外壳：SM-8
连续集电极电流：2 A
直流电流增益hFE最大值：70
最大功率耗散：2.75 W
最低工作温度：- 55 C
封装：Reel
工厂包装数量：1000
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：2A
晶体管类型：2 NPN (Dual)
安装类型：Surface Mount
频率 - 转换：240MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：500mV @ 200mA, 2A
标准包装：1,000
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：25V
供应商设备封装：SM8
功率 - 最大：2.75W
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：100 @ 1A, 2V
其他名称：ZDT649TR
RoHS指令：Contains lead / RoHS non-compliant