标准包装：1,000
晶体管类型：NPN, PNP Darlington (Dual)
集电极电流（Ic）（最大）：1.75A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：1.28V @ 2mA, 1.75A
电流 - 集电极截止（最大）：500nA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V
功率 - 最大：2.75W
频率转换：140MHz
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：SOT-223-8
供应商器件封装：SM8
包装材料
：Tape & Reel (TR);;其他的名称；
包装：8SM8
配置：Dual Dual Collector
类型：NPN|PNP
最大集电极发射极电压：60 V
峰值直流集电极电流：1.75 A
最小直流电流增益：5000@10mA@5V@NPN|5000@500mA@5V@NPN|3500@2A@5V@NPN|500@4A@5V@NPN|2000@10mA@5V@PNP|2000@500mA@5V@PNP|1500@2A@5V@PNP|1000@4A@5V@PNP
最大集电极发射极饱和电压：0.95@0.5mA@0.5A@NPN|1.28@2mA@1.75A@NPN|1@0.5mA@0.5A@PNP|1.28@2mA@1.75A@PNP V
最大集电极基极电压：80 V
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
最大的基射极饱和电压：1.85@2mA@1.75A@NPN|1.9@2mA@1.75A@PNP
供应商封装形式：SM8
欧盟RoHS指令：Compliant
最高工作温度：150
最大集电极基极电压：80
包装高度：1.6(Max)
最大集电极发射极电压：60
最大基地发射极电压：10
封装：Tape and Reel
Maximum Continuous DC Collector Current ：1.75
最大集电极发射极饱和电压：0.95@0.5mA@0.5A|1.28@2mA@1.75A@NP...
每个芯片的元件数：2
包装宽度：3.7(Max)
PCB：8
包装长度：6.7(Max)
最低工作温度：-55
引脚数：8
最大功率耗散：2750
单位包：1000
最小起订量：1000
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：1.75A
晶体管类型：NPN, PNP Darlington (Dual)
安装类型：Surface Mount
频率 - 转换：140MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：1.28V @ 2mA, 1.75A
电流 - 集电极截止（最大）：500nA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
供应商设备封装：SM8
功率 - 最大：2.75W
封装/外壳：SOT-223-8
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V
其他名称：ZDT6702TR
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：1000
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性：NPN/PNP
发射极 - 基极电压VEBO：10 V
最大功率耗散：2.75 W
直流集电极/增益hfe最小值：500 at 4 A, 1000 at 4 A
直流电流增益hFE最大值：5000
集电极 - 发射极最大电压VCEO：60 V
安装风格：SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO：80 V
最低工作温度：- 55 C
集电极最大直流电流：1.75 A
最高工作温度：+ 150 C
RoHS：RoHS Compliant
连续集电极电流：1.75 A
集电极电流（DC ）：1.75 A
集电极 - 基极电压：80 V
集电极 - 发射极电压：60 V
发射极 - 基极电压：10 V
工作温度范围：-55C to 150C
包装类型：SM8