WST2066
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.2A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 6.7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:双N沟道
WST2066的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7.2A
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻18mΩ @ 6.7A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.4W
类型双N沟道
WST2066
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WST2066 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.2A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 6.7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:双N沟道 | WINSOK微硕 |  | 668.95 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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