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WST05N10 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:145mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道
WST05N10的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.8A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻145mΩ @ 1A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1W

类型N沟道

供应商WST05N10
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WST05N10连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:145mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道WINSOK微硕WINSOK微硕的LOGO907.96 Kbytes共5页WST05N10的PDF下载地址
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WST05N10WINSOK微硕连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:145mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道5+:¥0.54168
50+:¥0.401736
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500+:¥0.350328
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