WST2011
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.2W 类型:双P沟道
WST2011的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.2A
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻85mΩ @ 2A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.2W
类型双P沟道
WST2011
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WST2011 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.2W 类型:双P沟道 | WINSOK微硕 |  | 657.35 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | WST2011 | WINSOK微硕 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.2W 类型:双P沟道 | 1+:¥1.0799 10+:¥0.7799 30+:¥0.7249 100+:¥0.6698 500+:¥0.6453 1000+:¥0.6332
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