VS-GB200TS60NPBF
/IGBT 模块 209 Amp 600 Volt Half-Bridge
VS-GB200TS60NPBF的规格信息
制造商:Vishay
产品种类:IGBT 模块
RoHS:是
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
在25 C的连续集电极电流:209 A
封装 / 箱体:INT-A-PAK
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 150 C
封装:Bulk
高度:30 mm
长度:94 mm
系列:GB200TS60
宽度:35 mm
商标:Vishay Semiconductors
安装风格:Chassis Mount
栅极/发射极最大电压:20 V
产品类型:IGBT Modules
工厂包装数量:15
子类别:IGBTs
商标名:HEXFRED
零件号别名:GB200TS60NPBF
单位重量:200 g
VS-GB200TS60NPBF
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