制造商:Vishay

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

产品:IGBT Silicon Modules

配置:4-Pack

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

在25 C的连续集电极电流:182 A

栅极—射极漏泄电流:440 nA

Pd-功率耗散:892 W

封装 / 箱体:ECONO3

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Bulk

商标:Vishay Semiconductors

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:10

子类别:IGBTs