制造商:Vishay

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:DUAL INT-A-INK

安装风格:SMD/SMT

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:750 A

Pd-功率耗散:1563 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Bulk

商标:Vishay Semiconductors

集电极连续电流:750 A

栅极—射极漏泄电流:200 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:12

子类别:IGBTs

商标名:HEXFRED

单位重量:270 g