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UTT6NP10G-S08-R /连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A,3.2A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道
UTT6NP10G-S08-R的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.1A,3.2A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻250mΩ @ 1A,5V

最大功率耗散(Ta=25°C)2W

类型N沟道和P沟道

供应商UTT6NP10G-S08-R
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UTT6NP10G-S08-R连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A,3.2A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道UTC(友顺)UTC(友顺)的LOGO285.69 Kbytes共7页UTT6NP10G-S08-R的PDF下载地址
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UTT6NP10G-S08-RUTC(友顺)连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A,3.2A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道1+:¥1.1607
10+:¥0.8709
30+:¥0.8176
100+:¥0.7644