UTT6NP10G-S08-R
            /连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A,3.2A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道
        
        UTT6NP10G-S08-R的规格信息
        
            
            
                
                商品类型MOS(场效应管)
                
                漏源电压(Vdss)100V
                
                连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.1A,3.2A
                
                栅源极阈值电压3V @ 250uA
                
                漏源导通电阻250mΩ @ 1A,5V
                
                最大功率耗散(Ta=25°C)2W
                
                类型N沟道和P沟道
                
             
         
        
UTT6NP10G-S08-R
        
        
        
        
        
            UTT6NP10G-S08-R及相关型号的PDF资料
            
            
            
            | 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 | 
            
            
	        
		        | UTT6NP10G-S08-R | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A,3.2A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道 | UTC(友顺) |   | 285.69 Kbytes | 共7页 |   | 无 | 
	        
	        
            
            
         
        
        UTT6NP10G-S08-R的全球分销商及价格
        
        
        
        | 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 | 
        
        
	    
		      立创商城 | UTT6NP10G-S08-R | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A,3.2A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道 | 1+:¥1.1607 10+:¥0.8709 30+:¥0.8176 100+:¥0.7644
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