UTT6NP10G-S08-R
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A,3.2A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道
UTT6NP10G-S08-R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.1A,3.2A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻250mΩ @ 1A,5V
最大功率耗散(Ta=25°C)2W
类型N沟道和P沟道
UTT6NP10G-S08-R
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UTT6NP10G-S08-R | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A,3.2A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道 | UTC(友顺) |  | 285.69 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
UTT6NP10G-S08-R的全球分销商及价格
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 立创商城 | UTT6NP10G-S08-R | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A,3.2A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道 | 1+:¥1.1607 10+:¥0.8709 30+:¥0.8176 100+:¥0.7644
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