UTT4850G-S08-R
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W 类型:N沟道
UTT4850G-S08-R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻25mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.7W
类型N沟道
UTT4850G-S08-R
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UTT4850G-S08-R | N-CHANNEL POWER MOSFET | UTC[Unisonic Technologies] | ![UTC[Unisonic Technologies]的LOGO](/PdfSupLogo/171UTC.GIF) | 171.01 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
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 立创商城 | UTT4850G-S08-R | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W 类型:N沟道 | 1+:¥0.93704 10+:¥0.70346 30+:¥0.660535 100+:¥0.61761
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