UTT25P10L-TN3-R
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:P沟道
UTT25P10L-TN3-R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)25A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻150mΩ @ 25A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)50W
类型P沟道
UTT25P10L-TN3-R
UTT25P10L-TN3-R及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
UTT25P10L-TN3-R | 25A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET | UTC[Unisonic Technologies] | ![UTC[Unisonic Technologies]的LOGO](/PdfSupLogo/171UTC.GIF) | 152.99 Kbytes | 共3页 |  | 无 |
UTT25P10L-TN3-R的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | UTT25P10L-TN3-R | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:P沟道 | 1+:¥2.2 10+:¥1.67 30+:¥1.58 100+:¥1.48
|