UT2305G-AE2-R
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:P沟道
UT2305G-AE2-R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.2A
栅源极阈值电压1.2V @ 250uA
漏源导通电阻65mΩ @ 4.2A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)830mW
类型P沟道
UT2305G-AE2-R
UT2305G-AE2-R的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | UT2305G-AE2-R | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:P沟道 | 10+:¥0.284792 100+:¥0.209822 300+:¥0.196052 1000+:¥0.182282
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