UT2302G-AE2-R
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA 漏源导通电阻:95mΩ @ 3.1A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道
UT2302G-AE2-R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.4A
栅源极阈值电压450mV @ 250uA
漏源导通电阻95mΩ @ 3.1A,2.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W
类型N沟道
UT2302G-AE2-R
UT2302G-AE2-R及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
UT2302G-AE2-R | N-CHANNEL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR | UTC[Unisonic Technologies] | ![UTC[Unisonic Technologies]的LOGO](/PdfSupLogo/171UTC.GIF) | 294.45 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | UT2302G-AE2-R | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA 漏源导通电阻:95mΩ @ 3.1A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 | 10+:¥0.219449 100+:¥0.160473 300+:¥0.14964 1000+:¥0.138808 5000+:¥0.133993 10000+:¥0.131615
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