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UT20N03L-TN3-R /连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tj) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:4V @ 25uA 漏源导通电阻:31mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tj) 类型:N沟道
UT20N03L-TN3-R的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)20A(Tj)

栅源极阈值电压4V @ 25uA

漏源导通电阻31mΩ @ 15A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)60W(Tj)

类型N沟道

供应商UT20N03L-TN3-R
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UT20N03L-TN3-RUTC(友顺)连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tj) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:4V @ 25uA 漏源导通电阻:31mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tj) 类型:N沟道1+:¥1.4379
10+:¥1.078
30+:¥1.0119
100+:¥0.9458