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US6X5TR / Transistors Bipolar - BJT NPN BIPOLAR 12V 2A
US6X5TR的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

晶体管类型:NPN

集电极电流(Ic)(最大):2A

电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V

Vce饱和(最大)@ IB,IC:180mV @ 50mA, 1A

电流 - 集电极截止(最大):-

直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE:270 @ 200mA, 2V

功率 - 最大:1W

频率转换:360MHz

安装类型 :Surface Mount

包/盒 :6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装:TUMT6

包装材料 :Tape & Reel (TR)

单位包:3000

最小起订量:3000

电流 - 集电极( Ic)(最大):2A

晶体管类型:NPN

安装类型:Surface Mount

频率 - 转换:360MHz

下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件:180mV @ 50mA, 1A

标准包装:3,000

电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V

供应商设备封装:TUMT6

封装:Tape & Reel (TR)

功率 - 最大:1W

封装/外壳:6-SMD, Flat Leads

直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时:270 @ 200mA, 2V

RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant

其他名称:US6X5CT

工厂包装数量:3000

增益带宽产品fT:360 MHz

产品种类:Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性:NPN

发射极 - 基极电压VEBO:6 V

最大功率耗散:1000 mW

直流集电极/增益hfe最小值:270 at 200 mA at 2 V

直流电流增益hFE最大值:270 at 200 mA at 2 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO:12 V

安装风格:SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO:15 V

集电极最大直流电流:2 A

配置:Single

最高工作温度:+ 150 C

RoHS:RoHS Compliant

供应商US6X5TR
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US6X5TR的全球分销商及价格
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US6X5TRROHM Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品3000+:¥1.67013000+:¥1.59
9000+:¥1.46
24000+:¥1.42
99000+:¥1.410+:¥0.75
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US6X5TRROHM Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品3000+:¥1.6701
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US6X5TRRohm SemiconductorTRANS NPN 12V 2A TUMT6Not For New Designs
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Mouser 贸泽电子
US6X5TRROHM Semiconductor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR 12V 2A1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.5086
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.6498
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US6X5TRROHM Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品3000+:¥1.67013000+:¥1.59
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