制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TUMT-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V, 20 V

Id-连续漏极电流:1.5 A, 1 A

Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms, 280 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V, 2 V

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:1.6 nC, 2.1 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:6 ns, 10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns, 8 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns, 25 ns

典型接通延迟时间:7 ns, 9 ns