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US6M1TR /MOSFET N+P 30 20V 1A
US6M1TR的规格信息
US6M1TR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363T-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:1.4 A

Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:1.4 nC, 2.1 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.77 mm

长度:2 mm

系列:US6M1

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

类型:MOSFET

宽度:1.7 mm

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:1 S, 0.7 S

下降时间:8 nS, 10 nS

产品类型:MOSFET

上升时间:6 nS, 8 nS

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 nS, 25 nS

典型接通延迟时间:6 nS, 9 nS

零件号别名:US6M1

单位重量:7.500 mg

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US6M1TRROHM SemiconductorFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N+P 30 20V 1A3000+:¥1.6701
6000+:¥1.56
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US6M1TRROHM SemiconductorFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N+P 30 20V 1A3000+:¥1.6701
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US6M1TRRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6$0.71000
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Mouser 贸泽电子
US6M1TRROHM SemiconductorMOSFET N+P 30 20V 1A1:¥4.9946
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1,000:¥1.9323
3,000:¥1.6498
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US6M1TRROHM SemiconductorFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N+P 30 20V 1A3000+:¥1.6701
6000+:¥1.56
15000+:¥1.45
30000+:¥1.38
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150000+:¥1.291+:¥4.06
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3000+:¥1.59
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24000+:¥1.42
99000+:¥1.4110+:¥1.39
50+:¥1.3301
100+:¥1.29
500+:¥1.2
1000+:¥1.12
3000+:¥1.11+:¥1.7