FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）22A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）50nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2330pF @ 10V

功率耗散（最大值）1.5W（Ta）, 16W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）5.3 毫欧 @ 22A，10V

工作温度150°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳8-PowerWDFN

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs