FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）130A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）180nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）7930pF @ 10V

功率耗散（最大值）1.5W（Ta），83W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）2.45 毫欧 @ 35A，4.5V

工作温度150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-HVSON（5.4x5.15）

封装/外壳8-PowerVDFN

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs