FET 类型P 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）10A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）37nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1450pF @ 10V

功率耗散（最大值）1.1W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）15 毫欧 @ 10A，10V

工作温度150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-SOP

封装/外壳8-PowerSOIC（0.173"，4.40mm 宽）

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs