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UPA2757GR-E1-AT /Renesas Electronics America/分立半导体产品
UPA2757GR-E1-AT的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):36 毫欧 @ 3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):400pF @ 10V

功率 - 最大值:2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

供应商器件封装:8-PSOP

供应商UPA2757GR-E1-AT
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UPA2757GR-E1-ATMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET NEC[NEC]NEC[NEC]的LOGO180.28 Kbytes共8页UPA2757GR-E1-AT的PDF下载地址RJK6014DPP,NP82N055CHE_07,NP82N055ELE,NP84N04EHE,NP84N055EHE,2SK4178,NP84N055ELE,NP84N075EUE,NP40N055EHE,NP86N04EHE
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