图像仅供参考,请参阅规格书
FET 类型2 N 沟道(双)共漏
FET 功能逻辑电平栅极,2.5V 驱动
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)20nC @ 4V
功率 - 最大值1.8W
工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳6-XFLGA
供应商器件封装6-EFLIP-LGA(2.17x1.47)
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs