图像仅供参考,请参阅规格书
FET 类型2 N 沟道(双)共漏
FET 功能逻辑电平栅极,2.5V 驱动
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)22nC @ 4V
功率 - 最大值1.3W
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳4-XFBGA
供应商器件封装4-EFLIP-LGA(1.62x1.62)
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs