标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：18.5 毫欧 @ 9A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：13.3nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：920pF @ 10V

功率 - 最大值：1.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-WSOF

供应商器件封装：8-VSOF