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UNR511HG0L /
UNR511HG0L的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型PNP - 预偏压

电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA

电压 - 集射极击穿(最大值)50V

电阻器 - 基底(R1)2.2 kOhms

电阻器 - 发射极基底(R2)10 kOhms

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)30 @ 5mA,10V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)250mV @ 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值)500nA

频率 - 跃迁80MHz

功率 - 最大值150mW

安装类型表面贴装

封装/外壳SC-85

供应商器件封装S迷你型3-F2

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商UNR511HG0L
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深圳市芯幂科技有限公司UNR511HG0L深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市宇浩扬科技有限公司UNR511HG0L深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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UNR511HG0LPanasonic Corporation晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品3000+:¥0.42
6000+:¥0.38
12000+:¥0.3301
27000+:¥0.3101
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