包装管件
系列-
零件状态有源
FET 类型P 通道
技术SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
漏源电压(Vdss)1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)18.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)-
Vgs(最大值)-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-
FET 功能-
功率耗散(最大值)-
工作温度-
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247-3
封装/外壳TO-247-3