包装管件

系列-

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术SiCFET（共源共栅 SiCJFET）

漏源电压（Vdss）650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）31A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）12V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）100 毫欧 @ 20A，12V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）6V @ 10mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）51nC @ 15V

Vgs（最大值）±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1500pF @ 100V

FET 功能-

功率耗散（最大值）190W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-220-3

封装/外壳TO-220-3