制造商:UnitedSiC

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:SiC

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1200 V

Id-连续漏极电流:33 A

Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:51 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:254.2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Tube

系列:UF3C

晶体管类型:1 N-Channel

商标:UnitedSiC

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:43 ns

典型接通延迟时间:33 ns