TSA3878
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道
TSA3878的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A(Tc)
栅源极阈值电压5V @ 250uA
漏源导通电阻1.2Ω @ 4.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)130W(Tc)
类型N沟道
TSA3878
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TSA3878 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道 | Truesemi(信安) |  | 703.5 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | TSA3878 | Truesemi(信安) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥6.25 10+:¥4.57 30+:¥4.26 100+:¥3.95 500+:¥3.81 1000+:¥3.75
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