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TSA23N50M /连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:260mΩ @ 11.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):280W(Tc) 类型:N沟道
TSA23N50M的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)500V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)23A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻260mΩ @ 11.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)280W(Tc)

类型N沟道

供应商TSA23N50M
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集好芯城TSA23N50M深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市芯幂科技有限公司TSA23N50M深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司TSA23N50M上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市宇浩扬科技有限公司TSA23N50M深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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TSA23N50M连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:260mΩ @ 11.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):280W(Tc) 类型:N沟道Truesemi(信安)Truesemi(信安)的LOGO1.80 Mbytes共7页TSA23N50M的PDF下载地址
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TSA23N50MTruesemi(信安)连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:260mΩ @ 11.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):280W(Tc) 类型:N沟道1+:¥6.48
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30+:¥4.65
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