TSA28N50M
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):28A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:170mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):290W 类型:N沟道
TSA28N50M的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)28A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻170mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)290W
类型N沟道
TSA28N50M
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型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
TSA28N50M | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):28A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:170mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):290W 类型:N沟道 | Truesemi(信安) |  | 904.95 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
TSA28N50M的全球分销商及价格
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