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TPN8R903NL,LQ(S /MOSFET N-Ch 30V 37A 10uA TSON8 Advance
TPN8R903NL,LQ(S的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型N

最大连续漏极电流37 A

最大漏源电压30 V

最大漏源电阻值12.7 m0hms

最大栅阈值电压2.3V

最小栅阈值电压1.3V

最大栅源电压-20 V、+20 V

封装类型TSON

安装类型表面贴装

晶体管配置

引脚数目8

通道模式增强

类别开关调节器 MOSFET

最大功率耗散22 W

典型接通延迟时间8.3 ns

典型关断延迟时间14 ns

典型输入电容值@Vds630 pF @ 15 V

典型栅极电荷@Vgs9.8 nC @ 10 V

晶体管材料Si

最高工作温度+150 °C

高度0.85mm

每片芯片元件数目1

宽度3.1mm

正向二极管电压1.2V

尺寸3.1 x 3.1 x 0.85mm

系列U-MOSVIII-H

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商TPN8R903NL,LQ(S
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TPN8R903NL,LQ(S功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 37 A, 0.0076 ohm, TSON, 表面安装TOSHIBATOSHIBA的LOGO234.99 Kbytes共9页TPN8R903NL,LQ(S的PDF下载地址
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