FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）21A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）20nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1900pF @ 10V

功率耗散（最大值）700mW（Ta），30W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）9.9 毫欧 @ 10.5A，10V

工作温度150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-TSON Advance（3.3x3.3）

封装/外壳8-PowerVDFN

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs