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TPCC8093,L1Q /MOSFET N-Ch 20V FET 21A 30W 1860pF 16nC
TPCC8093,L1Q的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSON-Advance-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:21 A

Rds On-漏源导通电阻:4.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:16 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

系列:TPCC8093

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Toshiba

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:44 ns

典型接通延迟时间:11 ns

单位重量:20 mg

供应商TPCC8093,L1Q
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TPCC8093,L1QToshibaMOSFET N-Ch 20V FET 21A 30W 1860pF 16nC1:¥4.6895
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10+:¥0.9125
30+:¥0.8536
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