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TPCC8093,L1Q(M /连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 500uA 漏源导通电阻:5.8mΩ @ 10.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道
TPCC8093,L1Q(M的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)21A

栅源极阈值电压1.2V @ 500uA

漏源导通电阻5.8mΩ @ 10.5A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)30W(Tc)

类型N沟道

供应商TPCC8093,L1Q(M
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司TPCC8093,L1Q(M深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市芯幂科技有限公司TPCC8093,L1Q(M深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市星宇佳科技有限公司TPCC8093,L1Q(M深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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TPCC8093,L1Q(M连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 500uA 漏源导通电阻:5.8mΩ @ 10.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO248.45 Kbytes共9页TPCC8093,L1Q(M的PDF下载地址
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