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TPC6601(TE85L,F) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
TPC6601(TE85L,F)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:TPC6601

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):200mV @ 33mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):-

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 300mA,2V

功率 - 最大值:800mW

频率 - 跃迁:-

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装:VS-6(2.9x2.8)

其它名称:TPC6601(TE85L,F)-NDTPC6601(TE85L,F,M)TPC6601(TE85LF)TRTPC6601(TE85LFM)TPC6601(TE85LFM)-ND

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