FET 类型P 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.2V @ 200µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）9.8nC @ 5V

Vgs（最大值）±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）680pF @ 10V

功率耗散（最大值）700mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）55 毫欧 @ 2.2A，4.5V

工作温度150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装VS-6（2.9x2.8）

封装/外壳SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs