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TPC6009-H(TE85L,FM /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
TPC6009-H(TE85L,FM的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.3A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):81 毫欧 @ 2.7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.7nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):290pF @ 10V

功率 - 最大值:-

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装:VS-6(2.9x2.8)

其它名称:TPC6009-H(TE85LFMTPC6009HTE85LFM

供应商TPC6009-H(TE85L,FM
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王静Email:wangjing@chipspower.com询价
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TPC6009-H(TE85L,FMToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥1.941+:¥4.3499
10+:¥3.4
100+:¥2.19
1000+:¥2
3000+:¥1.8201
9000+:¥1.79
24000+:¥1.73
45000+:¥1.7
99000+:¥1.67011+:¥2.4
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TPC6009-H(TE85L,FMToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥1.94
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TPC6009-H(TE85L,FMToshibaMOSFET N-Ch 40V FET 5.3A 2.2W 225pF价格未公开
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